2017,11,01
研究領域「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」
～材料・デバイスからシステムまで、IoT/AI世代のナノエレ技術シーズ１３件！～
本領域では、Siデバイスの微細化だけに頼らない形での革新的なナノエレクトロニクス基盤技術の創成を目指しています。
これによって、今後ともナノエレクトロニクスがInternet of Things（IoT）や人工知能(AI）などの進展を支え、エネルギー環境問題、少子高齢化問題、健康安全社会の実現、インフラの老朽化など、ローカルおよびグローバルな社会的課題を解決する一助として活用され続けることが期待できます。
本報告会では、CREST二期生の中間報告３件とさきがけ二期生の終了報告１０件を集め、皆様にコンパクトにわかりやすくその研究成果、ナノエレクトロニクスのシーズをお伝えできればと期待しています。
多数のご参加をお待ちしております。
【日 時】平成30年1月29日（月） 9時30分～17時50分
【会 場】東京大学 駒場コンベンションホール（ 東京都目黒区駒場４丁目６-１）
（駒場Ⅱキャンパス 生産技術研究所総合研究実験棟（Ａｎ棟）2階）
【定 員】250名 ※先着順 定員になり次第締め切らせていただきます。
【参 加 費】無料
【プログラム】
開会挨拶 研究総括 桜井 貴康（東京大学 生産技術研究所 教授）
セッション1（基礎・材料レイヤー）
山崎 歴舟｢マイクロ波・光領域における量子オプトメカニカルシステムの構築｣
長汐 晃輔｢2層グラフェンのギャップ内準位解析と複層化界面制御による準位低減｣
友利 ひかり
｢ひずみ誘起ゲージ場を用いた単原子層膜の伝導制御とエレクトロニクス応用｣
セッション2（デバイスレイヤー／センサー・CMOS応用）
益 一哉｢ナノ慣性計測デバイス・システム技術とその応用展開｣
関 剛斎｢磁性規則合金を用いた新機能性スピントルク発振素子の創製｣
長田 貴弘｢フッ化物ユニバーサル高誘電体極薄膜材料の創出｣
セッション3（デバイスレイヤー／テラヘルツ応用）
浅野 種正
｢異種機能コデザインによるテラヘルツ帯ビデオイメージングデバイスの開発｣
高橋 陽太郎｢電気磁気創発現象による電磁波制御デバイスの創生｣
廣理 英基｢超高強度テラヘルツ光のナノ空間制御と物性制御技術への応用｣
セッション4（システム・回路レイヤー）
橋本 昌宜
｢ビアスイッチの実現によるアルゴリズム・処理機構融合型コンピューティングの創出｣
河野 崇｢定性的モデリングに基づいたシリコン神経ネットワークプラットフォーム｣
荒井 礼子｢スピンを利用したニューロモルフィックシステムの理論設計｣
福田 憲二郎
｢ナノ膜厚ポリマー絶縁膜を利用した全印刷型基板レス有機集積回路の創成｣
閉会挨拶 副研究総括 横山 直樹（（株）富士通研究所 名誉フェロー）
【主 催】科学技術振興機構（JST）
■詳細・お申込み
■問い合わせ先 科学技術振興機構（JST）戦略研究推進部（担当：ナノエレ領域担当）
TEL : 03-3512-3531 E-mail : crest@jst.go.jp
当センターへのお問い合わせは、お名前、ご連絡先、ご質問内容を明記の上、下記までお寄せください。
お寄せいただいたお問い合わせにはなるべく迅速な回答を心がけていますが、数日かかる場合もございます。予めご了承ください。
〒550-0004 大阪市西区靭本町１丁目８番４号
一般財団法人 大阪科学技術センター
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＜貸会場に関するお問い合わせ＞
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