京都先端科学大学では、本学ナガモリアクチュエータ研究所 松波特任 教授のSiC（シリコンカーバイド）半導体開発に係るIEEE/米国電気電子学会 エジソンメダル受賞を記念し、以下のセミナーを開催します。 　 　

　SiCに早くから注目し、その実用化に貢献した松波特任教授。 　

　京都が生んだイノベーションの先駆者に、本学の小関副学長（昨年、米国溶接学会でComfort A.Adams Lecture Award受賞）が日本の研究開発力の国際化について迫ります。

■開催日：2023年6月7日（水）18：30～20：00（開場：18：00）

■会　場：ホテルグランヴィア京都３階「源氏の間」 　　　　　

　　　　　またはオンライン視聴

■プログラム内容： 　

テーマ「イノベーションの先駆者が語る日本の研究開発力の国際化」 　

講　師：京都先端科学大学 　　　　　

　　　　ナガモリアクチュエータ研究所　特任教授　　松波弘之　 　

聴き手：京都先端科学大学　副学長・教授　　　　　　小関敏彦

■参加費　無料（要事前申込） 　　　　　

■申込URL：https://forms.office.com/r/nt4kgz2qQm

■問合せ：京都先端科学大学　社会連携支援室 　　　　　

　　　　　E-mail: ccsc@kuas.ac.jp TEL 075-406-9250